半导体芯片工艺流程

半导体芯片工艺流程

1. 晶圆制备

半导体芯片的制作首先要从供应商获得晶圆，晶圆是半导体芯片的基础，也称为wafer。晶圆的尺寸通常为100mm到300mm，是通过材料切割和抛光加工而成。

2. 步进投影光刻

光刻是半导体制作过程中最关键的步骤之一。通过使用光刻机，将设计好的电路图案投影到覆盖在晶圆表面的光刻胶上，形成光刻胶图形。然后通过化学蚀刻等方法将不需要的部分去除，留下所需的电路图案。

3. 离子注入

离子注入用于改变晶圆上的材料特性，例如搀杂制造P型或N型的半导体区域。通过将离子注入到晶圆中，改变晶体管的导电方式，使其可以实现输通、断开或携带电流。

4. 薄膜沉积

薄膜沉积是指在晶圆表面上形成薄膜层，用于隔离或保护电路。常用的薄膜沉积方法包括化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）等。

5. 金属化

金属化是将金属材料沉积在晶圆上，用于连接和导电。金属层可以通过物理气相沉积或电镀等方法制备，并通过光刻和蚀刻来定义导线和连线的形状。

6. 测试和封装

完成芯片制造后，需要进行测试以确保其工作正常。测试包括功能测试、电性能测试等。通过封装将芯片封装到外部封装中，以保护芯片并提供引脚接口，以便于芯片的安装和连接。

7. 成品检验

对成品进行全面的检验和质量控制，以确保芯片质量符合要求。